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Présentation des produits
Référence Digi-Key RFP12N10L-ND
Quantité disponible 6 405
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 800
Fabricant

Référence fabricant

RFP12N10L

Description MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques RFP12N10L
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1521 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 900 pF à 25 V
Vgs (max.) ±10 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 12 A, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

05:05:10 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,83000 0,83
10 0,74300 7,43
100 0,57930 57,93
500 0,47854 239,27
1 000 0,37780 377,80

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