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Présentation des produits
Référence Digi-Key RFD3055LE-ND
Quantité disponible 10 163
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 10 800
Fabricant

Référence fabricant

RFD3055LE

Description MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques RFD3055LE/LESM, RFP3055LE
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1524 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

ON Semiconductor/Fairchild

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 107 mOhms à 8A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11,3nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75

13:02:27 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,71000 0,71
10 0,62400 6,24
100 0,47860 47,86
500 0,37838 189,19
1 000 0,30270 302,70

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