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Référence Digi-Key IRLS640AFS-ND
Quantité disponible 146
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLS640A

Description MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
Description étendue N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLS640A
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1705 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 4,9 A, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms IRLS640A-ND
IRLS640AFS

03:29:53 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,47000 1,47
10 1,31300 13,13
100 1,02340 102,34
500 0,84542 422,71
1 000 0,66743 667,43

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