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Référence Digi-Key IRL640A-ND
Quantité disponible 68 230
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL640A

Description MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL640A
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1705 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 9 A, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

16:03:44 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,34000 1,34
10 1,19300 11,93
100 0,93020 93,02
500 0,76842 384,21
1 000 0,60665 606,65

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