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Présentation des produits
Référence Digi-Key HUF75652G3-ND
Quantité disponible 511
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

HUF75652G3

Description MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Description étendue N-Channel 100V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques HUF75652G3
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Plating Material 20/Dec/2007
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1521 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UltraFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 475 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7585 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 515 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

06:57:22 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,23000 6,23
10 5,59800 55,98
100 4,58660 458,66
500 3,90452 1 952,26
1 000 3,29296 3 292,96

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