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Référence Digi-Key FQU1N60CTUFS-ND
Quantité disponible 3 371
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 105 840
Fabricant

Référence fabricant

FQU1N60CTU

Description MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Description étendue N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQD1N60C, FQU1N60C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,2 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 170 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 28 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11,5 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70
Autres Noms FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS

17:40:04 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,60000 0,60
10 0,52900 5,29
100 0,40500 40,50
500 0,32016 160,08
1 000 0,25613 256,13

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