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Référence Digi-Key FQU13N10LTU-ND
Quantité disponible 4 535
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQU13N10LTU

Description MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Description étendue N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQD13N10L, FQU13N10L
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

17:24:54 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,66000 0,66
10 0,58200 5,82
100 0,44590 44,59
500 0,35248 176,24
1 000 0,28197 281,97

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