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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQU13N10LTU-ND
Quantité disponible 4 607
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 45 360
Fabricant

Référence fabricant

FQU13N10LTU

Description MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Description étendue N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQD13N10L, FQU13N10L
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

19:46:24 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,63000 0,63
10 0,54800 5,48
100 0,41990 41,99
500 0,33198 165,99
1 000 0,26559 265,59

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