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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQU13N10LTU-ND
Quantité disponible 4 679
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 70 560
Fabricant

Référence fabricant

FQU13N10LTU

Description MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Description étendue N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQD13N10L, FQU13N10L
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5W (Ta), 40W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

12:40:32 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,64000 0,64
10 0,56300 5,63
100 0,43170 43,17
500 0,34130 170,65
1 000 0,27304 273,04

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