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Référence Digi-Key FQPF8N80C-ND
Quantité disponible 321
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQPF8N80C

Description MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Description étendue N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP8N80C, FQPF8N80C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2050pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,55 Ohms à 4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

20:09:59 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,80000 1,80
10 1,62300 16,23
100 1,30480 130,48
500 1,07196 535,98
1 000 0,88819 888,19

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