Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key FQPF8N80C-ND
Quantité disponible 316
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQPF8N80C

Description MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Description étendue N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP8N80C, FQPF8N80C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2050 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 59 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,55 Ohms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

23:09:55 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,76000 1,76
10 1,57900 15,79
100 1,26910 126,91
500 1,04270 521,35
1 000 0,86394 863,94

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires