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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQPF6N80C-ND
Quantité disponible 1 052
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 43 000
Fabricant

Référence fabricant

FQPF6N80C

Description MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP(F)6N80C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1524 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Fairchild Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 Ohms à 2,75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 30nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1310pF à 25V
Puissance max. 51W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220F
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

18:31:19 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,44000 1,44
10 1,28600 12,86
100 1,00280 100,28
500 0,82840 414,20
1 000 0,65399 653,99

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