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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQPF6N80C-ND
Quantité disponible 795
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 200 000
Fabricant

Référence fabricant

FQPF6N80C

Description MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Description étendue N-Channel 800V 5.5A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP(F)6N80C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1524 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1310 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 51 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 Ohms à 2,75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

17:36:06 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,51000 1,51
10 1,35200 13,52
100 1,05400 105,40
500 0,87064 435,32
1 000 0,68735 687,35

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