Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key FQPF6N80C-ND
Quantité disponible 1 042
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQPF6N80C

Description MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Description étendue N-Channel 800V 5.5A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP(F)6N80C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1524 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
종류
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 30nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1310pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 51W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 Ohms à 2,75A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:55:44 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,47000 1,47
10 1,30900 13,09
100 1,02060 102,06
500 0,84306 421,53
1 000 0,66557 665,57

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires