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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQPF33N10LFS-ND
Quantité disponible 5 996
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 18 000
Fabricant

Référence fabricant

FQPF33N10L

Description MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Description étendue N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQPF33N10L
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1630 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 41 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 52 mOhms à 9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQPF33N10L-ND
FQPF33N10LFS

03:14:44 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,18000 1,18
10 1,05700 10,57
100 0,82460 82,46
500 0,68120 340,60
1 000 0,53778 537,78

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