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Référence Digi-Key FQPF33N10LFS-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

FQPF33N10L

Description MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Description étendue N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQPF33N10L
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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종류
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 40nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1630pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 52 mOhms à 9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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  • Prix unitaire 2,17000
  • A102114-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQPF33N10L-ND
FQPF33N10LFS

09:22:08 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,14000 1,14
10 1,02400 10,24
100 0,79850 79,85
500 0,65962 329,81
1 000 0,52074 520,74

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