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Référence Digi-Key FQPF10N20CFS-ND
Quantité disponible 1 375
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 11 000
Fabricant

Référence fabricant

FQPF10N20C

Description MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
Description étendue N-Channel 200V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP10N20C, FQPF10N20C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 510 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 38 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 360 mOhms à 4,75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220F
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS

20:00:37 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,85000 0,85
10 0,76200 7,62
100 0,59390 59,39
500 0,49060 245,30
1 000 0,38731 387,31

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