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Référence Digi-Key FQP8P10FS-ND
Quantité disponible 1 136
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQP8P10

Description MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
Description étendue P-Channel 100V 8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP8P10
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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종류
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 15nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 470pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 530 mOhms à 4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQP8P10-ND
FQP8P10FS

21:32:57 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,71600 7,16
100 0,55850 55,85
500 0,46138 230,69
1 000 0,36424 364,24

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