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Référence Digi-Key FQP8P10FS-ND
Quantité disponible 593
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 1 000
Fabricant

Référence fabricant

FQP8P10

Description MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
Description étendue P-Channel 100V 8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP8P10
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 470 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 65 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 530 mOhms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQP8P10-ND
FQP8P10FS

00:46:33 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,77000 0,77
10 0,69600 6,96
100 0,54330 54,33
500 0,44878 224,39
1 000 0,35430 354,30

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