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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQP3N80CFS-ND
Quantité disponible 1 423
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 30 000
Fabricant

Référence fabricant

FQP3N80C

Description MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP3N80C, FQPF3N80C
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Assemblage/origine PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

ON Semiconductor/Fairchild

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 16,5nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 705pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQP3N80C-ND
FQP3N80CFS

17:14:57 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,04000 1,04
10 0,92800 9,28
100 0,72320 72,32
500 0,59742 298,71
1 000 0,47164 471,64

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