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Référence Digi-Key FQP3N80CFS-ND
Quantité disponible 1 302
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQP3N80C

Description MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Description étendue N-Channel 800V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP3N80C, FQPF3N80C
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Assemblage/origine PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 705 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 107 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQP3N80C-ND
FQP3N80CFS

00:23:40 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,10000 1,10
10 0,97500 9,75
100 0,76010 76,01
500 0,62790 313,95
1 000 0,49570 495,70

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