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Référence Digi-Key FQP3N60CFS-ND
Quantité disponible 14 648
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 1 000
Fabricant

Référence fabricant

FQP3N60C

Description MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP3N60C
TO220B03 Pkg Drawing
Conception/spécification PCN Passivation Material 14/May/2008
Assemblage/origine PCN Description Chg 15/Feb/2016
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 565 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 75 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,4 Ohms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FQP3N60C-ND
FQP3N60CFS

17:27:11 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,93000 0,93
10 0,83700 8,37
100 0,65250 65,25
500 0,53898 269,49
1 000 0,42553 425,53

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