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Référence Digi-Key FQP3N30-ND
Quantité disponible 431
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQP3N30

Description MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
Description étendue N-Channel 300V 3.2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP3N30
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 230 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 55 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,2 Ohms à 1,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

10:06:15 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,82000 0,82
10 0,72100 7,21
100 0,55320 55,32
500 0,43732 218,66
1 000 0,34986 349,86

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