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Référence Digi-Key FQP13N10L-ND
Quantité disponible 1 249
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQP13N10L

Description MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP13N10L
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Description Chg 15/Feb/2016
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 65 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 6,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

09:47:26 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,70700 7,07
100 0,54210 54,21
500 0,42860 214,30
1 000 0,34288 342,88

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