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Référence Digi-Key FQP12P20-ND
Quantité disponible 1 074
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQP12P20

Description MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
Description étendue P-Channel 200V 11.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP12P20
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 120 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 470 mOhms à 5,75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

12:32:57 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,48000 1,48
10 1,32900 13,29
100 1,03670 103,67
500 0,85640 428,20
1 000 0,67611 676,11

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