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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQP10N20C-ND
Quantité disponible 1 122
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 6 000
Fabricant

Référence fabricant

FQP10N20C

Description MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Description étendue N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQP10N20C, FQPF10N20C
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 510 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 72 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 360 mOhms à 4,75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

17:22:33 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,90000 0,90
10 0,79300 7,93
100 0,60780 60,78
500 0,48054 240,27
1 000 0,38443 384,43

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