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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQN1N50CTACT-ND
Quantité disponible 10 937
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQN1N50CTA

Description MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Description étendue N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQN1N50C
Page de catalogue 1521 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 380 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,4 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 195 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 890 mW (Ta), 2,08 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6 Ohms à 190 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms FQN1N50CTACT

15:13:36 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,44000 0,44
10 0,38300 3,83
100 0,28580 28,58
500 0,22462 112,31
1 000 0,17356 173,56

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et boîte ? : FQN1N50CTATB-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 000
  • Quantité disponible: 10 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,15364
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