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Référence Digi-Key FQH8N100C-ND
Quantité disponible 497
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQH8N100C

Description MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQH8N100C
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1521 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3220 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 225 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,45 Ohms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

10:44:26 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,14000 4,14
10 3,71300 37,13
100 3,04240 304,24
500 2,59000 1 295,00
1 000 2,18433 2 184,33

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