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Référence Digi-Key FQA8N100CFS-ND
Quantité disponible 239
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQA8N100C

Description MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQA8N100C
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3220 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 225 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,45 Ohms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS

04:21:43 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,04000 3,04
10 2,73000 27,30
100 2,23710 223,71
500 1,90436 952,18
1 000 1,60610 1 606,10

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