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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQA55N25-ND
Quantité disponible 293
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 6 750
Fabricant

Référence fabricant

FQA55N25

Description MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Description étendue N-Channel 250V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQA55N25
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6250 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 310 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 27,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

18:02:58 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,25000 5,25
10 4,71700 47,17
100 3,86450 386,45
500 3,28980 1 644,90
1 000 2,77453 2 774,53

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