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Présentation des produits
Référence Digi-Key FQA55N25-ND
Quantité disponible 305
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 8 550
Fabricant

Référence fabricant

FQA55N25

Description MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Description étendue N-Channel 250V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQA55N25
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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종류
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 180nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6250pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 27,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

14:06:47 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,09000 5,09
10 4,56800 45,68
100 3,74210 374,21
500 3,18558 1 592,79
1 000 2,68663 2 686,63

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