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Référence Digi-Key FQA170N06-ND
Quantité disponible 379
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQA170N06

Description MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
Description étendue N-Channel 60V 170A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQA170N06
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 170 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 290 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9350 pF à 25 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,6 mOhms à 85 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

02:27:29 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,95000 5,95
10 5,37600 53,76
100 4,45030 445,03
500 3,87528 1 937,64
1 000 3,37524 3 375,24

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