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Référence Digi-Key FQA11N90C_F109-ND
Quantité disponible 78
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FQA11N90C_F109

Description MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Description étendue N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FQA11N90C_F109
Conception/spécification PCN Passivation Material 26/June/2007
Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série QFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3290 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,1 Ohms à 5,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms FQA11N90CF109

05:38:43 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,86000 3,86
10 3,46700 34,67
100 2,84060 284,06
500 2,41812 1 209,06
1 000 2,03937 2 039,37

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