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Référence Digi-Key FGA60N65SMDFS-ND
Quantité disponible 451
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FGA60N65SMD

Description IGBT 650V 120A 600W TO3P
Description étendue IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FGA60N65SMD
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT Field stop
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 120 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 180 A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,5 V à 15 V, 60 A
Puissance max. 600 W
Énergie de commutation 1,54mJ (Marche), 450µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 189nC
Td (on/off) à 25°C 18ns/104ns
Condition de test 400 V, 60 A, 3 Ohms, 15 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 47ns
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
Boîtier fournisseur TO-3PN
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms FGA60N65SMD-ND

09:35:52 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,62000 5,62
10 5,07400 50,74
100 4,20080 420,08
500 3,65800 1 829,00
1 000 3,18600 3 186,00

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