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Référence Digi-Key FDU3N40TU-ND
Quantité disponible 4 051
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDU3N40TU

Description MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Description étendue N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDD3N40, FDU3N40
Page de catalogue 1524 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 225pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,4 Ohms à 1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur IPAK (TO-251)
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

12:20:34 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,67000 0,67
10 0,58900 5,89
100 0,45190 45,19
500 0,35724 178,62
1 000 0,28579 285,79

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