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Référence Digi-Key FDP75N08A-ND
Quantité disponible 1 338
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP75N08A

Description MOSFET N-CH 75V 75A TO-220
Description étendue N-Channel 75V 75A (Tc) 137W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP75N08
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Description Chg 15/Feb/2016
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 104nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4468pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 137 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 37,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:57:27 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,63000 1,63
10 1,46800 14,68
100 1,18070 118,07
500 0,97000 485,00
1 000 0,80372 803,72

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