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Référence Digi-Key FDP65N06-ND
Quantité disponible 2 359
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP65N06

Description MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Description étendue N-Channel 60V 65A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP65N06
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Description Chg 15/Feb/2016
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2170 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 135 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 32,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:08:37 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,06000 1,06
10 0,94900 9,49
100 0,73980 73,98
500 0,61110 305,55
1 000 0,48244 482,44

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