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Présentation des produits
Référence Digi-Key FDP65N06-ND
Quantité disponible 2 881
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 4 000
Fabricant

Référence fabricant

FDP65N06

Description MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP65N06
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Assemblage/origine PCN Description Chg 15/Feb/2016
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

ON Semiconductor/Fairchild

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 32,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2170pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:09:07 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,08000 1,08
10 0,95800 9,58
100 0,74730 74,73
500 0,61732 308,66
1 000 0,48735 487,35

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