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Référence Digi-Key FDP61N20-ND
Quantité disponible 1 761
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 92 000
Fabricant

Référence fabricant

FDP61N20

Description MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
Description étendue N-Channel 200V 61A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP61N20
TO220B03 Pkg Drawing
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Description Chg 15/Feb/2016
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3380 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 417 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 41 mOhms à 30,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

13:13:19 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,47000 2,47
10 2,22400 22,24
100 1,78730 178,73
500 1,46846 734,23
1 000 1,21672 1 216,72

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