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Référence Digi-Key FDP55N06-ND
Quantité disponible 3 625
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP55N06

Description MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
Description étendue N-Channel 60V 55A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP55N06, FDPF55N06
TO220B03 Pkg Drawing
Assemblage/origine PCN Description Chg 15/Feb/2016
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 37nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1510pF à 25V
Vgs (Max) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 22 mOhms à 27,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

15:54:38 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,07000 1,07
10 0,94900 9,49
100 0,74020 74,02
500 0,61146 305,73
1 000 0,48273 482,73

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