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Référence Digi-Key FDP51N25-ND
Quantité disponible 1 330
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP51N25

Description MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
Description étendue N-Channel 250V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP51N25, FDPF51N25
TO220B03 Pkg Drawing
Conception/spécification PCN Description Chg 28/Mar/2016
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Description Chg 15/Feb/2016
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3410 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 320 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 25,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

19:23:45 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,43000 2,43
10 2,18200 21,82
100 1,75400 175,40
500 1,44102 720,51
1 000 1,19398 1 193,98

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