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Référence Digi-Key FDP2532-ND
Quantité disponible 968
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP2532

Description MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
Description étendue N-Channel 150V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDB2532, FDP2532
TO220B03 Pkg Drawing
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1521 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série PowerTrench®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Ta), 79 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 107 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5870 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 310 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 33 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

04:04:18 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,86000 2,86
10 2,56600 25,66
100 2,10270 210,27
500 1,79000 895,00
1 000 1,50963 1 509,63

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