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Référence Digi-Key FDP22N50N-ND
Quantité disponible 701
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP22N50N

Description MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Description étendue N-Channel 500V 22A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP22N50N
TO220B03 Pkg Drawing
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3200pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 312,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 220 mOhms à 11A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

09:38:36 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,27000 3,27
10 2,94000 29,40
100 2,40880 240,88
500 2,05054 1 025,27
1 000 1,72937 1 729,37

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