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Référence Digi-Key FDP22N50N-ND
Quantité disponible 689
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 1 000
Fabricant

Référence fabricant

FDP22N50N

Description MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Description étendue N-Channel 500V 22A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP22N50N
TO220B03 Pkg Drawing
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Additional MFG Site 3/Dec/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 312,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 220 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

00:22:26 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,38000 3,38
10 3,03600 30,36
100 2,48750 248,75
500 2,11762 1 058,81
1 000 1,78594 1 785,94

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