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Présentation des produits
Référence Digi-Key FDP18N20F-ND
Quantité disponible 3 370
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 2 000
Fabricant

Référence fabricant

FDP18N20F

Description MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP18N20F, FDPF18N20F
TO220B03 Pkg Drawing
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Additional MFG Site 3/Dec/2015
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1180pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 100 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

21:14:20 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,23000 1,23
10 1,09400 10,94
100 0,85350 85,35
500 0,70502 352,51
1 000 0,55659 556,59

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