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Référence Digi-Key FDP10N60NZ-ND
Quantité disponible 1 093
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP10N60NZ

Description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP(F)10N60NZ
TO220B03 Pkg Drawing
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET-II™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1475pF à 25V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 185 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 750 mOhms à 5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

17:03:40 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,05000 2,05
10 1,84700 18,47
100 1,48420 148,42
500 1,21942 609,71
1 000 1,01038 1 010,38

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