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Présentation des produits
Référence Digi-Key FDP054N10-ND
Quantité disponible 2 077
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 6 000
Fabricant

Référence fabricant

FDP054N10

Description MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP054N10
Conception/spécification PCN SOA curve 01/Jul/2013
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série PowerTrench®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 203 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13280 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 263 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

10:15:17 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,26000 3,26
10 2,92500 29,25
100 2,39670 239,67
500 2,04028 1 020,14
1 000 1,72072 1 720,72

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