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Présentation des produits
Référence Digi-Key FDP054N10-ND
Quantité disponible 2 077
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 1 000
Fabricant

Référence fabricant

FDP054N10

Description MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP054N10
Conception/spécification PCN SOA curve 01/Jul/2013
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série PowerTrench®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 203nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13280pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 263 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 75A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

05:30:34 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,16000 3,16
10 2,83200 28,32
100 2,32080 232,08
500 1,97566 987,83
1 000 1,66621 1 666,21

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