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Référence Digi-Key FDP047N10-ND
Quantité disponible 10 485
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP047N10

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP047N10
TO220B03 Pkg Drawing
Conception/spécification PCN SOA curve 01/Jul/2013
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série PowerTrench®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15265pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,7 mOhms à 75A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

07:41:59 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,67000 4,67
10 4,19700 41,97
100 3,43850 343,85
500 2,92716 1 463,58
1 000 2,46868 2 468,68

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