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Référence Digi-Key FDP036N10A-ND
Quantité disponible 322
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDP036N10A

Description MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP036N10A
TO220B03 Pkg Drawing
Conception/spécification PCN FDP036N10A Epoxy 29/May/2013
Assemblage/origine PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série PowerTrench®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 116 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7295 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 333 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,6 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

20:32:07 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,94000 4,94
10 4,43300 44,33
100 3,63200 363,20
500 3,09180 1 545,90
1 000 2,60754 2 607,54

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