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Référence Digi-Key FDP020N06B_F102-ND
Quantité disponible 1 207
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 800
Fabricant

Référence fabricant

FDP020N06B_F102

Description MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Description étendue N-Channel 60V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDP020N06B_F102
Assemblage/origine PCN Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série PowerTrench®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 268 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20930 pF à 30 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 333 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms FDP020N06B
FDP020N06B-ND

17:32:00 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,86000 4,86
10 4,36400 43,64
100 3,57580 357,58
500 3,04398 1 521,99
1 000 2,56721 2 567,21

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