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Référence Digi-Key FDA59N25-ND
Quantité disponible 467
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDA59N25

Description MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
Description étendue N-Channel 250V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDA59N25
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 59 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 82nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4020pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 392 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 49 mOhms à 29,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

17:07:54 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,26000 3,26
10 2,93200 29,32
100 2,40280 240,28
500 2,04542 1 022,71
1 000 1,72507 1 725,07

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