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Présentation des produits
Référence Digi-Key FDA50N50-ND
Quantité disponible 560
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDA50N50

Description MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
Description étendue N-Channel 500V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDA50N50, FDH50N50
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 48 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 137 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6460 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 625 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 105 mOhms à 24 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

21:18:04 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,78000 5,78
10 5,19000 51,90
100 4,25220 425,22
500 3,61986 1 809,93
1 000 3,05290 3 052,90

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