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Référence Digi-Key FDA28N50-ND
Quantité disponible 371
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDA28N50

Description MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
Description étendue N-Channel 500V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDA28N50
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 105nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5140pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 155 mOhms à 14A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

00:03:37 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,73000 4,73
10 4,24500 42,45
100 3,47840 347,84
500 2,96110 1 480,55
1 000 2,49730 2 497,30

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