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Référence Digi-Key FDA28N50-ND
Quantité disponible 343
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

FDA28N50

Description MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
Description étendue N-Channel 500V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques FDA28N50
Conception/spécification PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Assemblage/origine PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Page de catalogue 1523 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série UniFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 105 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5140 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 310 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 155 mOhms à 14 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PN
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

15:08:53 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,60000 4,60
10 4,12900 41,29
100 3,38350 338,35
500 2,88026 1 440,13
1 000 2,42913 2 429,13

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