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Référence Digi-Key 2N7000BU-ND
Quantité disponible 3 789
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

2N7000BU

Description MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
Description étendue N-Channel 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 45 semaines
Documents et supports
Fiches techniques 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Switches for Power Processing
Conception/spécification PCN 2N7000 06/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Fairchild/ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 50 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 400 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

03:10:44 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,35000 0,35
10 0,26000 2,60
100 0,14680 14,68
500 0,09724 48,62
1 000 0,07455 74,55

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