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  • Ce composant est un échantillon technique et n'a pas été entièrement testé. Ce composant doit uniquement être utilisé pour l'évaluation fonctionnelle et la démonstration de faisabilité, et non pour la production ou l'utilisation finale.
Présentation des produits
Référence Digi-Key 917-EPC2106ENGRCT-ND
Quantité disponible 2 174
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

EPC2106ENGRT

Description TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques EPC2106 Preliminary
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Fabricant

EPC

Série eGaN®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET 2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 2A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 600µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 0,73nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 75pF à 50V
Puissance max. -
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier MATRICE
Boîtier fournisseur MATRICE
 
pour l'utiliser de
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 917-EPC2106ENGRCT

16:02:57 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,69000 1,69
10 1,52100 15,21
25 1,36240 34,06
100 1,22530 122,53
250 1,08796 271,99
500 0,95064 475,32

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : 917-EPC2106ENGRTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
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  • Digi-Reel® ? : 917-EPC2106ENGRDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 174 - Immédiatement
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