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Présentation des produits
Référence Digi-Key 917-EPC2103ENGRCT-ND
Quantité disponible 2 261
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

EPC2103ENGRT

Description TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
Description étendue Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques EPC2103 Preliminary Datasheet
Note(s) d’application Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Module(s) de formation sur le produit eGaN® Integrated GaN Power
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

EPC

Série eGaN®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET 2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 20A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 7mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 6,5nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7600 pF à 40 V
Puissance max. -
Type de montage Montage en surface
Boîtier MATRICE
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 917-1146-1
917-1146-1-ND

17:48:14 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,40000 12,40
10 11,27000 112,70
25 10,42440 260,61
100 9,57950 957,95
250 8,73420 2 183,55

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
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