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Présentation des produits
Référence Digi-Key 917-EPC2103ENGRCT-ND
Quantité disponible 2 011
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

EPC2103ENGRT

Description TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
Description étendue Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques EPC2103 Preliminary Datasheet
Note(s) d’application Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Module(s) de formation sur le produit eGaN® Integrated GaN Power
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

EPC

Série eGaN®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET 2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 20 A, 5 V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 7 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,5 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7600 pF à 40 V
Puissance max. -
Type de montage Montage en surface
Boîtier MATRICE
Boîtier fournisseur MATRICE
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 917-1146-1
917-1146-1-ND

07:57:52 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,06000 12,06
10 10,96200 109,62
25 10,14000 253,50
100 9,31800 931,80
250 8,49580 2 123,95

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
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  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 011 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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