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Référence Digi-Key VN10LP-ND
Quantité disponible 1 194
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VN10LP

Description MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Description étendue N-Channel 60V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques VN10LPSTZ
Informations RoHS RoHS Cert of Compliance
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1389 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Diodes Incorporated

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 270 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 625 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5 Ohms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 4 000
Autres Noms FVN10LP

16:17:38 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,61000 0,61
10 0,53800 5,38
100 0,41280 41,28
500 0,32634 163,17
1 000 0,26107 261,07

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