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Référence Digi-Key BS107P-ND
Quantité disponible 23 040
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BS107P

Description MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Description étendue N-Channel 200V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BS107P
Informations RoHS RoHS Cert of Compliance
Page de catalogue 1391 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Diodes Incorporated

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2,6V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs -
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 30 Ohms à 100mA, 5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 4 000
Autres Noms BS107

15:52:02 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,54000 0,54
10 0,47500 4,75
100 0,36420 36,42
500 0,28796 143,98
1 000 0,23037 230,37

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