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Référence Digi-Key BS107P-ND
Quantité disponible 19 705
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BS107P

Description MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Description étendue N-Channel 200V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BS107P
Informations RoHS RoHS Cert of Compliance
Page de catalogue 1391 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Diodes Incorporated

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,6V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 30 Ohms à 100 mA, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 4 000
Autres Noms BS107

09:00:28 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,52000 0,52
10 0,46200 4,62
100 0,35430 35,43
500 0,28010 140,05
1 000 0,22408 224,08

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