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Présentation des produits
Référence Digi-Key CMF20120D-ND
Quantité disponible 1 900
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

CMF20120D

Description MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques CMF20120D
Note(s) d’application SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Module(s) de formation sur le produit 1200V SiC Mosfet Overview
Fichier vidéo Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 110 mOhms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 90,8nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1915pF à 800V
Puissance max. 215W
Température d’utilisation -55°C ~ 135°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

00:15:45 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 31,43000 31,43
100 30,22640 3 022,64
500 29,47188 14 735,94

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