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  • Statut de la pièce : fin de vie ; Date d'achat limite : 06-30-2017. Des valeurs minimums peuvent s'appliquer.
Présentation des produits
Référence Digi-Key CMF10120D-ND
Quantité disponible 201
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

CMF10120D

Description MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques CMF10120D
Note(s) d’application SiC MOSFET Isolated Gate Driver
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Catégories
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série Z-FET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Date de dernière disponibilité
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 500 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 47,1 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 928 pF à 800 V
Vgs (max.) +25V, -5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 134 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 220 mOhms à 10 A, 20 V
Température d’utilisation -55°C ~ 135°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

00:54:33 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 15,56000 15,56
100 14,96560 1 496,56

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