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Référence Digi-Key C3M0120090D-ND
Quantité disponible 1 704
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C3M0120090D

Description 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Description étendue N-Channel 900V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques C3M0120090D
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Catégories
Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série C3M™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 3 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17,3 nC à 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 350 pF à 600 V
Vgs (max.) +18 V, -8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 97 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 155 mOhms à 15 A, 15 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

16:37:22 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,07000 6,07
100 5,83390 583,39
500 5,68760 2 843,80

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