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Présentation des produits
Référence Digi-Key C3M0120090D-ND
Quantité disponible 911
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

C3M0120090D

Description 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques C3M0120090D
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Série C3M™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 155 mOhms à 15A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 17,3nC à 15V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 600V
Puissance max. 97W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

09:07:50 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,06000 6,06
100 5,82840 582,84
500 5,68218 2 841,09

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